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Si7868ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
60
1.2
1.0
50
V GS = 10 thru 2 V
0.8
40
0.6
30
0.4
20
T C = 125 °C
10
0
0.2
0.0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.0026
0.0024
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
7500
6000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.0022
0.0020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4500
3000
C oss
0.0018
0.0016
1500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 15 A
8
V DS = 5 V
6
V DS = 10 V
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 15 V
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
0
20
40
60
80
100
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73384
S-80438-Rev. B, 03-Mar-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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